Фистуль Виктор Ильич (Pistol Victor Ilyich).

Родившиеся в январе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в феврале
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29            

Родившиеся в марте
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в апреле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в мае
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в июне
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          
 


 

Фистуль Виктор Ильич.

 ›

Виктор Ильич Фистуль
Дата рождения:

1 мая 1927(1927-05-01)

Место рождения:

Ленинград, РСФСР, СССР

Дата смерти:

6 июня 2011(2011-06-06) (84 года)

Место смерти:

Москва, Россия

Страна:

СССР, Россия

Научная сфера:

физик

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Ленинградский политехнический институт

Известен как:

обнаруживший явление политропии примеси в полупроводниках, предложивший и разработавший подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси, выведший особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках

Награды и премии


Виктор Ильич Фистуль (1 мая 1927, Ленинград - 6 июня 2011, Москва) - советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников. Доктор физико-математических наук (1967), профессор (1968), академик РАЕН (физика полупроводников; 23.12.1993), заслуженный деятель науки и техники РСФСР, почетный профессор Ханойского технического университета, Международный «Человек года» Кембридж 1997-1998. Дважды лауреат Государственной премии СССР (1975, 1987). Заведующий кафедрой технологии полупроводниковых материалов (ныне материалов микро-, опто-, и наноэлектроники), профессор Московского института тонкой химической технологии с 1977 года.

Содержание
  • Краткая биография
  • Труды
  • Ссылки
Краткая биография

Родился в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., 1949-1952 - на инженерных должностях завода «Уралэлетроаппарат»; 1952-1964 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией НИИ Министерства электронной промышленности; 1964-1977 - старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заведующий отелом Института «Гиредмет»; в 1962-2002 работал в Московском институте тонкой химической технологии, где разработал учебные курсы: «Физика полупроводников», «Экспериментальные методы исследования полупроводников», «Физика и химия твердого тела». Заведующий кафедрой (1977), профессор. Специалист в области физики полупроводников. Подготовил 44 кандидата и 6 докторов наук. Обнаружил явление политропии примесей в полупроводниках (1961), установил основные закономерности встраивания d -электронов примесей переходных металлов в полупроводниках АIIIВV, предложил и разработал подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси (1969-1971), выявил особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках (1970-1973). Установил основные отличия распада полупроводниковых твердых растворов от металлических. Открыл неводородоподобность примесей водорода и др. одноэлектронных атомов в полупроводниках, разработал совместно с сотрудниками теорию поведения амфотерных примесей и примесей с d- и f в полупроводниках (1970, 1989). Соавтор открытия глубокого донорного состояния атомов водорода в германии и кремнии (№ 259, 1983). Исследовал новый класс примесей, изовалентных легируемому полупроводнику (1987), разработал метод лазерной имплантации примесей в полупроводники (1983-1986). Участвовал в разработке технологии и организации промышленного производства важнейшего полупроводникового материала - арсенида галлия (1975). Читал лекции в Технологическом институте г. Бургас (Болгария, 1989), в Техническом университете и институте материаловедения в г. Ханой (Вьетнам, 1989, 1996), университете Миннеаполиса (США). Автор и соавтор более 230 научных работ, включая 4 учебных пособия, 16 монографий, 32 изобретения, открытие (диплом № 159). Заслуженный деятель науки и техники России; дважды лауреат Государственной премии СССР; награждён памятной медалью им. акад. Н. С. Курнакова (1985), медалями РАЕН им. П. Л. Капицы (1995), «За заслуги в деле возрождения науки и экономики России» им. Петра I (1996). Похоронен в Москве на Ваганьковском кладбище.

Труды
  • Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1965; 1967.
  • Фистуль В. И., Мейер А. А. Зондовые методы исследования удельного сопротивления полупроводников. М.: ГИРЕДМЕТ, 1968.
  • Victor I. Fistul. Heavily doped semiconductors. New York: Plenum Press, 1969.
  • Фистуль В. И., Яковенко А. Г., Юрьев Г. А. Лабораторный практикум по экспериментальным методам исследования полупроводников. М.: МИТХТ, 1972.
  • Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975; 1984.
  • Фистуль В. И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977.
  • Омельяновский Э. М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия, 1983.
  • Omel’yanovskii E. M., Fistul V. I. Transition metal impurities in semiconductors. Adam Hilger Ltd., Bristol and Boston, 1986.
  • Фистуль В. И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992.
  • Фистуль В. И. Физика и химия твердого тела: В 2-х т: Учебник для вузов. М.: Металлургия, 1995
  • Фистуль В. И. Беседы о ХТТ. М., 1995.
  • Фистуль В. И. Новые материалы (состояние, проблемы и перспективы). М.: МИСИС, 1995.
  • Булярский С. В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука; Физматлит, 1997.
  • Фистуль В. И. Фундаментальные законы классической физики. М.: Физматлит, 2002.
  • Фистуль В. И. Законы атомной и квантовой физики. М.: Физматлит, 2003.
  • Фистуль В. И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физматлит, 2004.
  • Victor I. Fistul. Impurities in Semiconductors: Solubility, Migration and Interactions. CRC Press, 2004. ISBN 0-203-34163-5
  • Фистуль В. И. На кончике пера. М., 2006.
  • Фистуль В. И. Принципы физики. 17 научных эссе. М.: Физматлит, 2010.

Доп. информация

 

 








Родившиеся в июле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в августе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в сентябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в октябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в ноябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в декабре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

© 2015 famous-birthdays.ru
При использовании материалов сайта прямая, активная ссылка на источник обязательна!
Дата последнего обновления каталога именинников: 2017-09-20