Красильник Захарий Фишелевич (The Krasilnik Zachary Fishelevich).

Родившиеся в январе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в феврале
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29            

Родившиеся в марте
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в апреле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в мае
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в июне
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          
 


 

Красильник Захарий Фишелевич.

 ›

Захарий Фишелевич Красильник
Дата рождения:

2 ноября 1947(1947-11-02) (67 лет)

Место рождения:

Черновцы

Страна:

СССР, Россия

Научная сфера:

Физика полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, физика наноструктур, кремниевая оптоэлектроника

Место работы:

ИФМ РАН

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Альма-матер:

Радиофак ГГУ

Научный руководитель:

М. И. Рабинович

Награды и премии


Заха́рий Фи́шелевич Краси́льник (род. 2 ноября 1947, Черновцы) - советский и российский физик, профессор, бывший директор Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) (2009-2015), зам. председателя Президиума Нижегородского научного центра РАН, заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН.

Научные интересы лежат в области физики полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физики наноструктур и кремниевой оптоэлектроники. К началу 2011 года является автором более 200 научных статей. Число цитирований научных работ ~ 500 (цитирования с 1986 года), из них около 200 ссылок на работы, опубликованные за последние 7 лет.

Содержание
  • Биография
  • Научные достижения
  • Педагогическая деятельность
  • Публикации
  • Членство в профессиональных организациях, советах, комитетах
  • Премии и стипендии
  • Примечания
  • Ссылки
  • Интервью, публикации в прессе
Биография

В 1970 году З. Ф. Красильник окончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобаческого по специальности радиофизика и поступил на работу в Научно-исследовательский радиофизический институт (г. Горький) в должности младшего научного сотрудника. В 1977 году переведен во вновь образованный Институт прикладной физики Академии наук СССР (ИПФ АН СССР, затем - ИПФ РАН), где прошел путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела, заведующего отделом физики полупроводников. В 1977 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель - профессор М. И. Рабинович. В 1988 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук на тему «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».

С 1993 года - заместитель директора, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, образованного в 1993 г. на базе Отделения физики твердого тела ИПФ РАН.

В 2009 году избран директором ИФМ РАН.

Научные достижения

Основные направления научных исследований З. Ф. Красильника связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. З. Ф. Красильником теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама - Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности З. Ф. Красильника явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. В результате, под руководством З. Ф. Красильника были созданы полупроводниковые мазеры с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 году была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники.

По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З. Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ им. Н. И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм.

Педагогическая деятельность
  • С 1989 года по 2004 год - старший преподаватель, профессор (1996) кафедры электроники радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
  • С 2004 года - заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН.
  • К началу 2011 года под руководством З. Ф. Красильника были подготовлены и прошли защиту 7 диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
  • Руководитель Ведущей научной школы РФ «Фундаментальные научные проблемы развития кремниевой оптоэлектроники и освоения терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».
Публикации

Автор более 350 работ, опубликованных в научных журналах и материалах научных конференций.

Членство в профессиональных организациях, советах, комитетах
  • Заместитель председателя Президиума Нижегородского научного центра РАН.
  • Член Бюро Отделения физических наук РАН.
  • Член Совета по науке и инновационной политике при губернаторе Нижегородской области.
  • Член Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников».
  • Член редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников».
  • Член ряда ученых, специализированных и экспертных советов.
  • Член программных и организационных комитетов ряда международных и российских научных конференций.
Премии и стипендии
  • 1987 г. - Государственная премия СССР в области науки и техники.
  • 1997-2002 гг. - Государственная стипендия для выдающихся ученых России.
Примечания
  1. Список российских ученых, имеющих более 100 сылок на работы опубликованные за последние 7 лет
Ссылки
  • З. Ф. Красильник на сайте Института физики микроструктур РАН
  • З. Ф. Красильник на сайте межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН

Доп. информация

 

 








Родившиеся в июле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в августе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в сентябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в октябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в ноябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в декабре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

© 2015 famous-birthdays.ru
При использовании материалов сайта прямая, активная ссылка на источник обязательна!
Дата последнего обновления каталога именинников: 2018-10-20