| Игорь Всеволодович Грехов |
| Дата рождения: | 10 сентября 1934 (80 лет) |
|---|
| Место рождения: | Смоленск |
|---|
| Страна: | СССР Россия |
|---|
| Научная сфера: | полупроводниковая электроника |
|---|
| Место работы: | ФТИ им. А. Ф. Иоффе |
|---|
| Учёная степень: | доктор физико-математических наук (год) |
|---|
| Учёное звание: | академик РАН (2008) |
|---|
| Награды и премии |
|
|---|
И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934, Смоленск) - советский и российский физик. Академик РАН (с 2008 года). Руководитель Отделения твердотельной электроники Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.
Специалист в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники. Имеет более 1300 цитирований своих научных работ. Индекс Хирша - 15.
Содержание- Научные достижения
- Награды
- Библиография
- Примечания
- Ссылки
В 1960-1975 годах занимался созданием новой отрасли промышленности - силового полупроводникового приборостроения, за что был в 1966 году награждён Ленинской премией. Его исследования в этой области позволили создать принципиально новые полупроводниковые приборы, позволившие получать на порядок большую импульсную мощность. Это достижение легло в основу нового направления в технике - силовой полупроводниковой импульсной энергетики. За цикл работ по этому направлению Грехов был удостоен в 1987 году Государственной премии СССР. А за дальнейшее развитие темы - и Государственной премии РФ в 2002 году.
В середине 2000-х под руководством Грехова была выполнена разработка и организация производства нового поколения силовых диодов и тиристоров. Это достижение было отмечено в 2008 году премией Правительства РФ.
Под руководством И. В. Грехова защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников 10 докторов наук.
В 1991 году избран членом-корреспондентом РАН, академик РАН c 2008 года.