Домашевская Эвелина Павловна.
›
Эвелина Павловна Домашевская | | Дата рождения: | 12 марта 1935(1935-03-12) (80 лет) |
---|
Место рождения: | Харбин (Маньчжурия) |
---|
Страна: | СССР СССР → Россия Россия |
---|
Научная сфера: | Физика, Физика твёрдого тела |
---|
Место работы: | Воронежский государственный университет |
---|
Учёная степень: | Доктор физико-математических наук |
---|
Учёное звание: | профессор, академик РАЕН |
---|
Альма-матер: | ВГУ |
---|
Награды и премии | Памятная Медаль П.Л. Капицы
|
---|
Сайт: | Домашевская Э.П. |
---|
Эвелина Павловна Домашевская - (род. 12 марта 1935, Харбин (Маньчжурия)). Доктор физико-математических наук, профессор, заведующая кафедрой физики твердого тела и наноструктур Воронежского государственного университета. Действительный член РАЕН с 1999 года. Член научной секции РАН по проблеме «Рентгеновская и электронная спектроскопии».
За выдающиеся достижения в области электронного строения полупроводников и тонкопленочных гетероструктур ученый Домашевская Э.П. награждена президиумом Российской Академии Естественных Наук памятной медалью П. Л. Капицы. Содержание- Основные этапы деятельности
- Область научных интересов и основные результаты
- Патенты
- Научные публикации (основные)
- Ссылки
- Примечания
Основные этапы деятельности- 1957 г. - защита диплома на физическом факультете ВГУ; - 1967 г. - защита кандидатской диссертации; - 1971 г. - присвоение звания доцента; - 1980 г. - защита докторской диссертации; - 1983 г. - присвоение ученого звания профессора; - 1995 г. - становится лауреатом премии Фонда Сороса; - 1999 г. - Домашевская Э.П. избрана действительным членом Российской Академии Естественных Наук; - 2000 г. - Домашевской Э.П. вручена памятная медаль П. Л. Капицы; - 2001 г. - повторно становится лауреатом премии Фонда Сороса; - 2003 г. - присвоено звание Заслуженный деятель науки Российской Федерации; Область научных интересов и основные результатыИсследование электронного строения наноструктур, содержащих квантовые точки и наночастицы. Сверхструктурное упорядочение в эпитаксиальных наноструктурах AlxGa1-хAs/GaAs(100). Исследование синхротронных и ультрамягких рентгеновских спектров наноструктур и нанокомпозитов. Обнаруженные фундаментальные закономерности взаимодействия d-s,р-электронов положены в основу, разработанных Домашевской Э.П., оригинальных методик исследования механизмов межатомного взаимодействия и фазового профиля тонкопленочных гетероструктур, составляющих технологическую основу твердотельной электроники. Возглавляет научную школу: "Атомное и электронное строение твердых тел и наноструктур". Патенты- Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов № 2378643
- Способ селективного определения ацетона в воздухе № 2377551
- Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола № 2376590
Научные публикации (основные)СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ОБЩИЕ ПОКАЗАТЕЛИ ПУБЛИКАЦИОННОЙ АКТИВНОСТИ Ссылки- http://www.science.vsu.ru/whois&who=171
- http://www.phys.vsu.ru/ssp/index.html
- https://mapofscience.ru/scientist/803661
- http://www.education.vsu.ru/ru/lecturer_card/?person=500270
- http://www.phys.vsu.ru/ssp/learn.html
Доп. информацияЧастично использовались материалы сайта http://ru.wikipedia.org/wiki/
|