Бахрушин Владимир Евгеньевич (Bakhrushin Vladimir E.).

Родившиеся в январе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в феврале
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29            

Родившиеся в марте
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в апреле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в мае
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в июне
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          
 


 

Бахрушин Владимир Евгеньевич.

 ›

Бахрушин Владимир Евгеньевич
Дата рождения:

29 мая 1960(1960-05-29) (55 лет)

Место рождения:

Владикавказ

Страна:

Украина

Научная сфера:

Физика твердого тела, Системный анализ

Место работы:

Классический приватный университет
Запорожский национальный университет
Запорожский титано-магниевый комбинат

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Альма-матер:

Московский институт стали и сплавов

Сайт:

vbakhrushin.narod.ru


Бахрушин Владимир Евгеньевич (1960(1960), Владикавказ) - доктор физико-математических наук (1999), профессор (2004), академик общественной организации «Академия наук высшей школы Украины» (2009), академик общественной организации «Российская академия естествознания» (2010), профессор кафедры системного анализа и программной инженерии Классического приватного университета (г. Запорожье), заместитель главного редактора научного журнала «Сложные системы и процессы», член редакционного совета журнала «Экономика и предпринимательство».

Владимир Евгеньевич Бахрушин является автором 3 монографий, 8 учебников и учебных пособий, 10 изобретений, более 150 статей в ведущих научных изданиях. В 2007 г. он награждён Почетным знаком Министерства образования и науки Украины «За научные достижения». В. Е. Бахрушин ведет активную научно-организационную работу, являясь членом редколлегий 3 научных журналов, членом программных и организационных комитетов, а также приглашенным докладчиком ряда международных и всеукраинских научных конференций.

Содержание
  • Биография
  • Библиография
  • Примечания
  • Ссылки
Биография

В 1983 г. закончил Московский институт стали и сплавов, а в 1986 г. - аспирантуру МИСиС. В 1988 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Взаимодействие и диффузия примесей внедрения в сплавах на основе ниобия». В 1980-1986 г. на кафедре высокотемпературных материалов Московского института стали и сплавов исследовал влияние комплексного легирования и высокотемпературных обработок на внутреннее трение, динамические модули упругости и другие физические свойства сплавов внедрения на основе ниобия. В частности, В.Е Бахрушиным были определены закономерности распределения кислорода и азота в сплавах, быстроохлажденных от предплавильных температур, построена модель диффузии примесей внедрения в сплавах. Также были определены характер и механизм влияния легирующих элементов на кинетику взаимодействия азота со сплавами ниобия при высоких температурах.

В 1987 −1990 г. работал инженером Центральной научно-исследовательской лаборатории полупроводников Запорожского титано-магниевого комбината. В этот период В. Е. Бахрушиным был разработан ряд новых типов кремниевых эпитаксиальных структур (в том числе многослойных и структур с переменным уровнем легирования эпитаксиального слоя) и технологий их получения. Было показано, что механизм автолегирования слаболегированных автоэпитаксиальных слоев кремния, получаемых методами водородного восстановления тетрахлорида кримния, трихлорсилана и дихлорсилана, включает сублимацию соединений легирующего элемента из подложки с последующим их встраиванием в растущий слой; установлено формирование донорных центров при высокотемпературных отжигах слаболегированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев кремния в водороде и определены закономерности кинетики их накопления.

В 1990-2000 г. работал на физическом факультете Запорожского государственного университета.

Здесь В.Е Бахрушин разработал и читал курсы компьютерного моделирования физических процессов, механики, методов физических исследований, физических основ материаловедения и др. Основные исследования В.Е Бахрушина в этот период были связаны с компьютерным моделированием процессов формирования и физических свойств слаболегированных кристаллов. В. Е. Бахрушиным было введено понятие области идеальности твердого раствора. Такая концентрационная область ограничена слева вследствие взаимодействия атомов легирующего элемента с фоновыми примесями и дефектами, а справа - вследствие их взаимодействия между собой. Определены условия формирования таких областей, а также условия, при которых твердый раствор является неидеальным при любых концентрациях. Были установлены основные закономерности формирования прослоек с проводимостью противоположного типа в переходной области n±n и p±p кремниевых и германиевых композиций, обусловленные присутствием фоновых примесей противоположного типа в объёме или на поверхности сильнолегированного слоя. Показано, что ступеньки сдвига и линии скольжения в кремниевых эпитаксиальных структурах могут быть не тождественными дефектами. Их формирование происходит на начальной стадии осаждения эпитаксиального слоя и включает не только процессы зарождения и скольжения, но также и процессы аннигиляции дислокаций. Предложена кристаллографическая классификация этих дефектов, основанная на их различной ориентации относительно поверхности подложки. Установлены закономерности влияния параметров процесса на эффективность геттерирования быстродиффундирующих примесей в полупроводниковых композициях. В частности, показано существование оптимальной температуры этого процесса. При понижении температуры эффективность геттерирования снижается из-за уменьшения эффективной толщины геттерирующего слоя, а при повышении - вследствие стремления примеси к более равномерному распределению по всему объёму композиции. В 1999 г. В.Е Бахрушин защитил в Харьковском университете докторскую диссертацию на тему «Формирование примесно-дефектной подсистемы и физические свойства слаболегированных монокристаллов и монокристаллических слоев многослойных композиций».

В 2000 - 2012 г. заведующий кафедрой системного анализа и высшей математики Классического приватного университета. С 2002 г. заместитель главного редактора научного журнала «Сложные системы и процессы». В 2008-2010 заместитель директора Института управления КПУ. Здесь В.Е Бахрушин впервые в регионе организовал подготовку магистров, специалистов и бакалавров в области системного анализа. Разработал и читал базовые курсы «Анализ данных», «Моделирование систем», «Теория систем», «Математическое моделирование» и др.

Основные научные результаты получены в области моделирования сложных систем различной природы. В 2002-2009 г. В.Е Бахрушиным с учениками,,,, разработаны методология и программное обеспечение идентификации математических моделей сложных спектров и сложных релаксационных процессов по экспериментальным данным, основанные на применении современных методов нелинейной многокритериальной оптимизации и предложенного комплекса критериев адекватности модели. Это дало возможность уточнить закономерности влияния примесей переходных металлов на физические свойства и процессы распада пересыщенных твердых растворов внедрения на основе ниобия. В частности, было показано, что характер влияния легирующего элемента (ускорение распада или стабилизация твердого раствора) определяется характером локального взаимодействия его атомов с атомами внедренного элемента.

В.Е Бахрушиным было впервые введено понятие слабосвязанной системы и определены некоторые общие свойства таких систем.

В. Е. Бахрушиным с учениками разработана методология идентификации математических моделей сложных распределений случайных величин по эмпирическим данным, основанная на применении современных методов нелинейной многокритериальной оптимизации и непараметрических критериев проверки статистических гипотез. Эта задача является важным этапом при выборе адекватных методов дальнейшего статистического анализа. Были также определены типичные законы распределения многих показателей электоральных и образовательных систем, а также показателей производственного контроля в технологии полупроводниковых материалов и структур. Выполнены оценки критических значений критерия Колмогорова - Смирнова для некоторых типов распределений.

В 2009 г. В. Е Бахрушиным с учениками разработаны методика и программное обеспечение для нелинейного автокорреляционного и кросс-корреляционного анализа временных рядов. Такой подход имеет существенные преимущества по сравнению с традиционными методами, которые могут приводить к ошибочным выводам при наличии нелинейных связей между данными.

Является известным экспертом в области образовательной политики, в частности по вопросам законодательства об образовании, методов оценивания качества образования, информатизации образования,.

Библиография
  • Получение и свойства слаболегированных слоев кремниевых структур: Монография, 1997
  • Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций: Монография, 2001
  • Дифференциальное исчисление, 2003
  • Математическое моделирование, 2004  (укр.)
  • Модели и механизмы механической релаксации, связанной с перестройкой примесно-дефектной подисистемы кристаллов: Монография (2004, совм. с А. Ю. Чириковым)  (укр.)
  • Основы теории систем и системного анализа (2004, совм. с А. Н. Горбанем)  (укр.)
  • Анализ данных, 2004  (укр.)
  • Временные ряды, 2006  (укр.)
  • Теория управления, 2007  (укр.)
  • Математические основы моделирования систем, 2009  (укр.)
  • Методы анализа данных, 2011  (укр.)
  • Теория управления, 2014 (совм. с Т. Ю. Огаренко)  (укр.).
Примечания
  1. Бахрушин В. Е. Получение и свойства слаболегированных слоев кремниевых структур: Монография (1997)
  2. Національна бібліотека України імені В.І. Вернадського, Київ
  3. Бахрушин В.Є., Чиріков О. Ю. Математичне моделювання складних спектрів внутрішнього тертя // Складні системи і процеси, 2002.- № 2.- С. 27 - 35
  4. Бахрушин В. Е., Гончаренко Ю. В., Чириков А. Ю. Использование методов нелинейной оптимизации для анализа сложных релаксационных спектров // Системні технології, 2004. - № 2 (31). - С. 99 - 108
  5. Бахрушин В. Е., Гончаренко Ю. В., Чириков А. Ю., Шумада Р. Я. Застосування квазіньютонівської мінімізації до визначення параметрів складних релаксаційних спектрів за емпіричними даними // Нові технології. - 2005. - № 1-2 (7-8). - С. 226-229
  6. Бахрушин В. Е., Чириков А. Ю. Моделирование температурной зависимости динамических модулей упругости ОЦК сплавов в области релаксации Снука // Системні технології. - 2004. - № 5(34). - С. 55 - 61
  7. Бахрушин В.Є., Чиріков О. Ю. Аналіз релаксаційних властивостей ОЦК сплавів впровадження в області релаксації Снука // Фізика і хімія твердих тіл. - 2006. - Т. 7, № 4. - С. 656-659
  8. Бахрушин В. Е. Слабосвязанные системы в природе и обществе // Складні системи і процеси, 2003. - № 1. - С. 10 - 14.
  9. Бахрушин В.Є., Павленко В.Є., Петрова С. В. Застосування показників нелінійної кореляції для побудови й аналізу крос-кореляційних функцій // Складні системи і процеси. - 2009. - № 2. - С. 78 - 85
  10. Орлов А. И. Прикладная статистика. Учебник для вузов. - М.: Экзамен, 2006. - 672 с.
  11. www.education-ua.org
  12. Комітет з питань науки і освіти

Доп. информация

 

 








Родившиеся в июле
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в августе
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в сентябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в октябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

Родившиеся в ноябре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Родившиеся в декабре
01 02 03 04 05 06 07
08 09 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        

© 2015 famous-birthdays.ru
При использовании материалов сайта прямая, активная ссылка на источник обязательна!
Дата последнего обновления каталога именинников: 2017-11-18