| Александр Леонидович Асеев |
|
| Дата рождения: | 24 сентября 1946 (68 лет) |
|---|
| Место рождения: | Улан-Удэ, Бурят-Монгольская АССР, РСФСР, СССР |
|---|
| Страна: | СССР Россия |
|---|
| Научная сфера: | физика полупроводников |
|---|
| Место работы: | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН |
|---|
| Учёная степень: | доктор физико-математических наук (1990) |
|---|
| Учёное звание: | академик РАН (2006) |
|---|
| Альма-матер: | Новосибирский государственный университет |
|---|
| Известен как: | председатель Сибирского отделения РАН |
|---|
| Награды и премии |
|
|---|
Алекса́ндр Леони́дович Асе́ев (род. 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ) - российский ученый, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006), председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 года), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998-2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Содержание- Биография
- Научные интересы
- Общественная позиция
- Награды и почётные звания
- Примечания
- Интервью
- Ссылки
Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968).
В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках», в 1990 году - докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».
С 1998 года по 25 апреля 2013 года являлся директором Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
Учениками Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев – автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.
С июня 2014 г. - член наблюдательного совета ТПУ.
Александр Асеев входит в состав Ученого совета НГУ.
Основные научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитию технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.